TPCP8701 8701 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.14V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.54W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type .
*Portable Equipment Applications
*Switching Applications
*Inverter Lighting Applications
*Small footprint due to small and thin package
*High DC current gain : hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A)
* Low collector-emitter saturation : VCE (sat) = 0.14 V (max)
* High-speed switching : tf = 120 ns (typ.) |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。
*便携式设备的应用
*开关应用
*逆变器照明应用
*由于占地面积小，小而薄的包装
*高直流电流增益：HFE=400??1000（IC=0.3 A）
*低集电极 - 发射极饱和：VCE（sat）= 0.14 V（最大值）
*高速开关：TF =120 ns（典型值） |
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