2SC3405 C3405 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
900V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
800V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
0.8V |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
6~10 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1~20 |
| Description & Applications |
NPN Silicon Triple Diffused Transistor.
*Features.
*Excellent Switching Times.
*tr=1.0ìs (Max.) tf=1.0ìs (Max.) at IC=0.3A.
*High colletor Breakdown Voltage: VCEO=800V.
|
| 描述与应用 |
NPN硅三重扩散晶体管。
*特点。
*出色的开关时间。
TR =1.0ìs（最大）：TF=1.0ìsIC=0.3A（最大）。
*的高colletor击穿电压：VCEO=800V。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
