茂业电子---TTK101MFV-B的库存详细介绍

　

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TTK101MFV-B

型号：	TTK101MFV-B
标记/丝印/代码/打字：	12
厂家：	TOSHIBA
封装：	SOT-723/VESM
批号：	12+ROHS
库存数量：	0
所属分类：	场效应管FET 结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
技术文档PDF：	在线阅读

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TTK101MFV-B 12 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage	-0.1V~-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	150mW
Description & Applications	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type . * For ECM . * Application for compact ECM . * thin package:0.5mm . *low capacitance: Ciss = 1.8 pF (typ.) @VDS = 2 V, VGS = 0, f = 1MHzLow noise: VN = 15 mV (typ.) @VDD=2 V, RK=1kΩ, Cg=10pF, Gv=80dB, A-Cuve Filter.
描述与应用	东芝场效应晶体管的硅N沟道结型。对于ECM。申请ECM紧凑。薄型封装：0.5MM。 *低电容：西斯=1.8 pF的（典型值）@ VDS=2 V，VGS=0，F =1MHzLow VN= 15毫伏（典型值）噪声： ??@ VDD= 2 V，RK=1KΩ，CG =10PF，GV =80分贝，过滤A-CUVE。
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相关型号列表

型号

标记/丝印/代码

厂家

批号

封装

数量

描述

详细资料

12

TOSHIBA

12+ROHS

SOT-723/VESM

0

场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel

12

TOSHIBA

12+rohs

SOT-723/VESM

24000

场效应管FET

　

　

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