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2SK3669
 型号：  2SK3669
 标记/丝印/代码/打字：  K3669
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  6000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3669 K3669 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 10A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.095Ω/Ohm @5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 3~5V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS VII) Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor Drive Applications Features Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 95 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 100 V) Enhancement-mode : Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型（π-MOS七的） 开关稳压器，音频放大器和电机驱动应用 特性 开关稳压器，音频放大器和电机 驱动应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 95mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=6 S（典型值） 低漏电流：IDSS= 100μA（最大值）（VDS= 100 V） 增强模式：VTH =3.0到5.0 V（VDS=10 V，ID= 1mA）
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