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2N7002K
 型号:  2N7002K
 标记/丝印/代码/打字:  W2K
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  07+ROHS
 库存数量:  579000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2N7002K W2K 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 15V
最大漏极电流Id Drain Current 340mA/0.34A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.8Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 830mW/0.83W
Description & Applications TrenchMOS? logic level FET Description N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology Features TrenchMOS? logic level FET Logic level compatible Very fast switching Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes
描述与应用 renchMOS?逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS?技术 特性 TrenchMOS?逻辑电平FET 逻辑电平兼容 开关速度非常快 超小型表面贴装封装 栅源ESD保护二极管
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