2SB1516 B1516 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?60V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
390~1800 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-1000mV/-1V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Triple diffused planar PNP Silicon transistor Low frequency ,power amplifier Features High DC current Amp Low VCE Large collector power loss Wide SOA |
| 描述与应用 |
三重扩散平面PNP硅晶体管 低频，低功耗放大器 特点 高直流电流放大器 低VCE 大收藏家功率损耗 宽SOA |
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