2SC5477 SW 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
4V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
1.1GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
148 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
High Frequency Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Type（mini type） description 2SC5477 is a super mini package resin sealed silicon NPN epitaxial type transistor It is designed for hig frequency amplify application feature * super mini package for easy mounting * high gain band widths product application small type machine high frequency amplify application |
| 描述与应用 |
高频放大应用 NPN硅外延型（迷你型） 描述 ?2SC5477是一个超小型封装树脂密封硅NPN外延型晶体管 它是专为较高频率的应用放大 特点 ?*易于安装的超小型封装 ?*高增益带宽产品 应用 ?小型机高频放大应用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
