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2SD1918TLQ
 型号：  2SD1918TLQ
 标记/丝印/代码/打字：  D1918
 厂家：  ROHM
 封装：  TO-252/CPT3
 批号：  05+
 库存数量：  5
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD1918TLQ D1918 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 160V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 160V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 80MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~390
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 2V
耗散功率Pc Power Dissipation 1W
Description & Applications Power Transistor Features * High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) * Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) * High transition frequency.(fT = 80MHZ) * Complements the 2SB1275 / 2SB1236A.
描述与应用 功率晶体管 特点 *高击穿电压（BVCEO=160V）。 *低集电极输出电容。 ???（典型值20pF的VCB=10V） *高转换频率（FT =80MHZ）。 *补充2SB1275/2SB1236A的。
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