2SJ305 KN 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
2.4Ω @-50mA,-2.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5--1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG APPLICATIONS high input impedance low gate threshold voltage excellent switching times low drain-source on resistance small package complementary to 2SK2009 |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 高速开关应用 模拟应用 高输入阻抗 低栅极阈值电压 优良的开关时间 低漏源电阻 小包装 2SK2009互补 |
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