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型号: |
2SJ360 |
标记/丝印/代码/打字: |
Z8 |
厂家: |
TOSHIBA |
封装: |
SOT-89/SC-62 |
批号: |
11+ROHS |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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2SJ360 Z8 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-1A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.55Ω @500mA,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--2.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
Description & Applications |
TOSHIBA field effect transistor silicon p channel MOS type high speed,high current switching applications chopper regulator,DC-DC converter and motor drive applications 4-V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode |
描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 高速,高电流开关应用 削波稳压器,DC-DC转换器和电机驱动应用 4-V栅极驱动器 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SJ360 |
Z8 |
TOSHIBA |
11+ROHS |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
2SJ361RYTR |
RY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
2SJ361RYTR |
RY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
800 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ366 |
J366 |
HITACHI |
05+ |
TO-252/DPAK |
2700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ364-Q |
4MQ |
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05+ |
SOT-323/SC70 |
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05+ |
SOT-323/SC70 |
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2SJ364-Q |
4MQ |
Panasonic |
05+ |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-结型(JFET)-P沟道JFET P-Channel |
查看 |
2SJ360 |
Z8 |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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