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型号: |
2SJ361RYTR |
标记/丝印/代码/打字: |
RY |
厂家: |
HITACHI |
封装: |
SOT-89/SC-62/UPAK |
批号: |
05+ |
库存数量: |
800 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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2SJ361RYTR RY 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.28Ω @-1A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5--1.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
Description & Applications |
High speed power switching Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? Low drive current ? 2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source |
描述与应用 |
高速功率开关 特性 ?低导通电阻 ?高速开关 ?低驱动电流 ?2.5 V门驱动装置可以驱动从3 V源 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SJ360 |
Z8 |
TOSHIBA |
11+ROHS |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
2SJ361RYTR |
RY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ361RYTR |
RY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
800 |
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2SJ360 |
Z8 |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89 |
0 |
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