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2SJ463A H20 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
6Ω @-10mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5--1.7V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
FEATURES ? Can be driven by a 2.5 V power source. ? Low Gate Cut-off Voltage. |
| 描述与应用 |
?可以由一个2.5 V电源。 ?低栅极截止电压 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ463A |
H21 |
NEC |
05+39Knopb |
SOT-323/SC70 |
51000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ463A |
H21 |
NEC |
05+NOPB42KM+8K |
SOT-323/SC70 |
131400 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ463A |
H20 |
NEC |
05+ |
SOT-323/SC70 |
2600 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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