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2SK2596
 型号：  2SK2596
 标记/丝印/代码/打字：  BX
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-89/UPAK
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2596 BX 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 17V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 3W
Description & Applications Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier High power output, High gain, High efficiency Compact package capable of surface mounting
描述与应用 硅结场效应晶体管（小信号） 硅N沟道结型场效应管 对于开关的低频放大 特性 硅N沟道MOS FET UHF功率放大器 高输出功率，高增益，高效率 紧凑封装，能够表面安装
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