2SK2926 K2926 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
15A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.042Ω/Ohm @8A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.5-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
25W |
| Description & Applications |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0.042? typ 4V gate drive devices High speed switching |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻RDS（ON）=0.042Ω典型 4V栅极驱动装置 高速开关 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
