2SK3289 AN 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
300mA/0.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
1.26Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.3-2.3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
400mW/0.4W |
| Description & Applications |
N-Channel Silicon MOSFET DC/DC Converter Applications Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS= 1.26? typ(at VGS=10V , ID =150mA) RDS= 2.8? typ(at VGS=4V , ID =50mA) 4V gate drive device Small package (CMPAK) |
| 描述与应用 |
N-沟道硅MOSFET DC/ DC转换器应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=1.26Ω（典型值）（VGS= 10V，ID=150毫安） RDS=2.8Ω典型值（VGS=4V，ID=50毫安） 4V栅极驱动器 小型封装（CMPAK） |
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