3SK285 HV 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
13V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1-1/0-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
High Frequency FETs Silicon N-Channel MOS FET For UHF amplification Features lLow noise-figure (NF) lLarge power gain PG Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing |
| 描述与应用 |
高频场效应管 硅N沟道MOS FET 对于UHF扩增 LLOW噪声系数（NF） lLarge功率增益PG 迷你型包装，使瘦身套和自动 通过插入磁带/盒包装 |
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