3SK318 YB 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
6V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
6V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
20mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
|
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5-1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features ?Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) ?Excellent cross modulation characteristics ?Capable low voltage operation; |
| 描述与应用 |
硅N沟道双栅MOS FET UHF射频放大器 ?低噪音特点;（NF=1.4 dB（典型值），在f=900兆赫） ?优秀的交叉调制特性 ?低电压工作能力; |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
