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BC859B
 型号：  BC859B
 标记/丝印/代码/打字：  4B
 厂家：  ON
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  0507+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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BC859B 4B 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 220~475
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -250mV/-0.25V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications General Purpose Transistors PNP Silicon Features ? Pb?Free Packages are Available
描述与应用 通用晶体管 PNP硅 特点 ?无铅包可用
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