BCV62A 3J 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
125~220 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.075V~-0.65V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300MW/0.3W |
| Description & Applications |
* PNP Silicon Double Transistor.
* To be used as a current mirror.
* Good thermal coupling and VBE matching.
* High current gain.
* Low collector-emitter saturation voltage. |
| 描述与应用 |
* PNP硅双晶体管。
* 被用来作为电流反射镜。
* 良好的热耦合和VBE匹配。
* 高电流增益。
* 低集电极 - 发射极饱和电压。 |
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