BCV62B 3K 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHZ |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
220~475 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.075V~-0.65V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250MW/0.25W |
| Description & Applications |
* PNP general purpose double transistor.
* Low current (max. 100 mA).
* Low voltage (max. 30 V). |
| 描述与应用 |
* PNP通用双晶体管。
* 低电流（最大100 mA）。
* 低电压（最大30 V）。 |
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