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BF1205
 型号:  BF1205
 标记/丝印/代码/打字:  L4
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-363/SC70-6
 批号:  0652/07+ROHS
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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BF1205 L4 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 10V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6~10V/6~10V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.3~1V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Dual N-channel dual gate MOS-FET FEATURES Two low noise gain controlled amplifiers in a single package. One with a fully integrated bias and one with a partly integrated bias Internal switch reduces the number of external components Superior cross-modulation performance during AGC High forward transfer admittance High forward transfer admittance to input capacitance ratio. APPLICATIONS Gain controlled low noise amplifiers for VHF and UHF applications with 5 V supply voltage, such as digital and analog television tuners and professional communications equipment.
描述与应用 双N沟道双栅MOS-FET 特点 两个低噪声增益控制放大器,在单个封装中。与一个完全集成的偏置和部分集成的偏置 内部开关减少了外部元件数量 高级交叉调制性能在AGC 高正向转移导纳 高正向转移导纳输入电容比。 应用 增益控制的低噪声放大器,VHF和UHF应用与5 V电源电压,如数字和模拟电视调谐器和专业的通信设备。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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