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BFG10
 型号:  BFG10
 标记/丝印/代码/打字:  N7
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-143
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFG10 N7 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 8V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 250mA/0.25A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 25
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 400mW/0.4W
Description & Applications NPN 2 GHz RF power transistor FEATURES ? High power gain ? High efficiency ? Small size discrete power amplifier ? 1.9 GHz operating area ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS ? Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment at 1.9 GHz. DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.
描述与应用 2 GHz的RF功率晶体管NPN 特点 ?高功率增益 ?高效率 ?小尺寸离散功率放大器 ?1.9 GHz工作区 ?黄金金属确保 出色的可靠性。 应用 ?共发射极AB类 手持对讲机的操作 设备在1.9 GHz。 说明 NPN硅平面外延晶体管 封装在塑料中,4 - 针 双射SOT143封装。
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