BFG10/X N7 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
8V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
250mA/0.25A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
25 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
400mW/0.4W |
| Description & Applications |
NPN 2 GHz RF power transistor FEATURES ? High power gain ? High efficiency ? Small size discrete power amplifier ? 1.9 GHz operating area ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS ? Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment at 1.9 GHz. DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package. |
| 描述与应用 |
2 GHz的RF功率晶体管NPN 特点 ?高功率增益 ?高效率 ?小尺寸离散功率放大器 ?1.9 GHz工作区 ?黄金金属确保 出色的可靠性。 应用 ?共发射极AB类 手持对讲机的操作 设备在1.9 GHz。 说明 NPN硅平面外延晶体管 封装在塑料中，4 - 针 双射SOT143封装。 |
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