CPH5701 PA 的参数 |
| 三极管BJT类型
TYPE |
PNP |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-15V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-12V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 三极管BJT截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
280MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
-500mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-110~-165mV |
| 二极管DIODE类型
TYPE |
肖特基-单管 SBD-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR
Reverse Voltage |
15V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io
Rectified Current |
1A |
| 二极管DIODE正向电压降VF
Forward Voltage(Vf) |
350mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
900mW |
| Description & Applications |
Features ? TR : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor SBD : Schottky Barrier Diode ? DC/DC Converter Applications ? Composite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. ? Each device incorporated in the CPH5701 is equivalent to the CPH3106 and to the SBS004, respectively. ? Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. |
| 描述与应用 |
特点 ?TR：PNP平面外延硅晶体管 ?SBD：肖特基二极管 ?DC / DC转换器应用 ?复合型与PNP晶体管和肖特基势垒二极管中包含一个包装促进高密度安装。 ?每个注册的移动设备在CPH5701相当于CPH3106和SBS004。 ?超小封装，有利于在终端产品的小型化。 |
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