FML10 L10 的参数 |
| 三极管BJT类型
TYPE |
PNP |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-15V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-12V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1.5A |
| 三极管BJT截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
400MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
-200mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-80~-200mV |
| 二极管DIODE类型
TYPE |
肖特基-单管 SBD-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR
Reverse Voltage |
20V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io
Rectified Current |
700mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF
Forward Voltage(Vf) |
490mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ? General purpose transistor(isolated transistor and diode) ? Tr : Low VCE(sat) Di : Low VF ? Small package Applications ? DC / DC converter ? Motor driver |
| 描述与应用 |
特点 ?通用晶体管（隔离的晶体管和二极管） TR：低VCE（sat）的迪：低VF ?小型封装 应用 ?DC/ DC转换器 ?电机驱动器 |
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