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G2306 2306 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
5.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.03Ω/Ohm @5.5A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.38W |
| Description & Applications |
Capable of 2.5V gate drive Lower on-resistance Reliable and Rugged |
| 描述与应用 |
能够在2.5V栅极驱动 低导通电阻 可靠耐用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| G2306 |
2306 |
GTM |
07NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| G2306 |
2306 |
GTM |
07NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| G2305 |
2305 |
GTM |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
490 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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