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型号： |
G2305 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
2305 |
| 厂家： |
GTM |
| 封装： |
SOT-23/SC-59 |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
490 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
| 技术文档PDF： |
在线阅读  |
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G2305 2305 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-200V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
2.06Ω @-1.2A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-3.0--5.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2.5W |
| Description & Applications |
? -2.4A, -200V, RDS(on)= 2.7? @VGS = -10 V ? Low gate charge ( typical 6.0 nC) ? Low Crss ( typical 7.5 pF) ? Fast switching ? 100% avalanche tested ? Improved dv/dt capability |
| 描述与应用 |
?低栅极电荷（典型6.0 nC） ?低Crss（典型7.5 pF） ?快速开关 ?100％雪崩测试 ?改进的dv / dt能力“ |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BFG235 |
BFG235 |
SIEMENS |
05+ |
SOT-223 |
0 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN |
查看 |
| BYG23M |
BYG22M |
VISHAY |
06+NOPB |
SMA/DO-214AC |
0 |
二极管Diodes-快速二极管Fast Recovery Diodes-单管Single |
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| DTDG23YP |
EO |
ROHM |
05 |
SOT-89/MPT3 |
0 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
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| G2306 |
2306 |
GTM |
07NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
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| G2306 |
2306 |
GTM |
07NOPB |
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集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-放大器Amplifier-射频放大器RF Amplifier |
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BYG23M |
VISHAY |
06nopb |
SMA/DO-214AC |
0 |
二极管Diodes-快速二极管Fast Recovery Diodes-单管Single |
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| DTDG23YP |
EO |
ROHM |
04NOPB |
SOT-89/MPT3 |
740 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
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| G2305 |
2305 |
GTM |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
490 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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