IRLR8103VTR LR8103V 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
9.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
6.9Ω/Ohm @15A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0-3.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
115W |
| Description & Applications |
? N-Channel Application-Specific MOSFETs ? Ideal for CPU Core DC-DC Converters ? Low Conduction Losses ? Low Switching Losses ? Minimizes Parallel MOSFETs for high current a pplications ? 100% RG Tested ? Lead-Free |
| 描述与应用 |
HEXFET功率MOSFET 高频同步降压 计算机处理器电源转换器 高频隔离DC-DC 同步整流转换器 电信和工业应用 ?N沟道特定应用的MOSFET ?非常适于CPU核心DC-DC转换器 ?低传导损耗 ?低开关损耗 ?最大限度地减少并行 MOSFET的大电流 应用程序 ?100％的Rg测试 ?无铅 |
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