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MBT35200MT1
 型号：  MBT35200MT1
 标记/丝印/代码/打字：  G4
 厂家：  ON
 封装：  SOT-163
 批号：  06+NOPB1.4K
 库存数量：  4480
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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MBT35200MT1 G4 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -55V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -35V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -2A
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 100MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 100~400
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -175mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 625mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ?High Current SurfaceMount PNP Silicon ?Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?高电流的表面贴装PNP硅 ?便携式应用中的开关晶体管负荷管理
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
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