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NTR0202PLT1
 型号：  NTR0202PLT1
 标记/丝印/代码/打字：  PL
 厂家：  ON
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+ROHS3KM
 库存数量：  4500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NTR0202PLT1 PL 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.55Ω @-200mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.1--2.83
耗散功率Pd Power Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications Features ? Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life RDSon = 0.80 , VGS = ?10 V RDSon = 1.10 , VGS = ?4.5 V ? Miniature SOT?23 Surface Mount Package Saves Board Space ? Pb?Free Package is Available
描述与应用 ?低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 的RDSon，VGS=0.80= -10 V 导通电阻RDSon= 1.10，VGS=-4.5 V ?微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 ?无铅包装是可用
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