NTS2101PT1 TS 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-8V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.065Ω @-1A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2.9W |
| Description & Applications |
Features ? Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life ? ?1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive ? SC?70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm) ? Pb?Free Package is Available |
| 描述与应用 |
?领导沟道技术低的RDS（on） 延长电池寿命 ?-1.8 V额定低电压栅极驱动 SC-70小尺寸表面贴装（2×2毫米） ?无铅包装是可用 |
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