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PH5330E
 型号：  PH5330E
 标记/丝印/代码/打字：  5330E
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-669
 批号：  04+
 库存数量：  100
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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PH5330E 5330E 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 80A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 62.5W
Description & Applications N-channel TrenchMOS? logic level FET
描述与应用 N沟道的TrenchMOS?逻辑电平FET
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