RTQ045N03 QM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
4.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
60m?@ VGS =2.5V, ID =4.5A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TSMT6) . Application Power switching, DC / DC converter. |
| 描述与应用 |
特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 3）小和表面贴装封装（TSMT6）。 应用 电源开关，DC / DC变换器。 |
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