SSM6L16FE K6 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V/-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V/10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/-100mA |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
3?@ VGS = 4V, ID = 10mA/ 8?@ VGS = -4V, ID = -10mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.1V/-0.6~-1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications ? Small package ? Low on-resistance Q1: Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) Q2: Ron = 12 Ω (max) (@VGS = ?2.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅P/ N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 ?小型封装 ?低导通电阻Q1：RON =4Ω（最大）（@ VGS=2.5 V） Q2：RON= 12Ω（最大）（@ VGS= -2.5 V） |
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