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SI1022R
 型号：  SI1022R
 标记/丝印/代码/打字：  egc
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-523/SC-75A
 批号：  05+5rnopb(打标）
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SI1022R egc 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 330mA/0.33A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.25Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ?TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated ? Gate-Source ESD Protected: 2000V ? High-Side Switching ? Low On-Resistance: 0.7 ? ? Low Threshold: 0.8 V (typ.) ? Fast Switching Speed: 10 ns ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用 N沟道1.8 V（G-S）的MOSFET 功率MOSFET：1.8 V额定 ?门源ESD保护：2000 V ?高边开关 ?低导通电阻：0.7? ?低阈值：0.8 V（典型值） ?开关速度快：10 ns的 ?符合RoHS指令2002/95/EC
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