BSS192P KC 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-240V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.15A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
10Ω @-150mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--2.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
SIPMOS Small-Signal Transistor ? P channel ? Enhancement mode ? Logic Level ? VGS(th) = -0.8...-2.0 V |
| 描述与应用 |
SIPMOS?小信号晶体管 ?P沟道 ?增强模式 ?逻辑电平 ?VGS（TH）=-0.8-2.0 V |
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