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BSS192 KB 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-240V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.15A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
10Ω @-100mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--2.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
FEATURES ? Direct interface to C-MOS, TTL, etc. ? High-speed switching ? No secondary breakdown. |
| 描述与应用 |
?直接连接到C-MOS，TTL等 ?高速开关 ?无二次击穿 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BSS192 |
KB |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
190 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| BSS192P |
KC |
INFINEON |
08+ROHS |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| BSS192P |
KC |
INFINEON |
08NOPB |
SOT-89/SC-62 |
374 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| BSS192 |
KB |
INFINEON |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
48 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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