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IRFR214 FR214 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
400V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.7A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3.4Ω/Ohm @850mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2.0-4.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2.5W |
| Description & Applications |
DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications. ? 1.7A, 400V, RDS(on) = 3.4? @VGS = 10 V ? Low gate charge ( typical 7.7 nC) ? Low Crss ( typical 6.0 pF) ? Fast switching ? 100% avalanche tested ? Improved dv/dt capability |
| 描述与应用 |
说明 Vishay的第三代功率MOSFET提供 设计师与快速切换的最佳组合， 坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。 该DPAK是专为表面安装使用蒸汽相，红外线，或波峰焊技术。直 导致通孔版本（IRFU，赐福系列）安装应用程序。功耗水平，直至1.5 W 典型的表面贴装应用中是可能的。 ?低栅极电荷（典型7.7 nC） ?低Crss（典型6.0 pF） ?快速开关 ?100％雪崩测试 ?改进的dv / dt能力 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| IRFR210BTF-FP001 |
FR2108 |
FAIRCHILD |
05+ |
TO-252/D-PAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRFR210BTF |
IRFR210B |
FAIRCHILD |
05+NOPB |
TO-252/D-PAK |
50 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| IRFR210T |
FR210 |
IR |
05+ |
TO-252/D-PAK |
300 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| IRFR214 |
FR214 |
IR |
05+ |
TO-252/D-PAK |
10 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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