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2SK848-TD
 型号:  2SK848-TD
 标记/丝印/代码/打字:  KA
 厂家:  SANYO
 封装:  SOT-89/SC-62/PCP
 批号:  01+
 库存数量:  1000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK848-TD KA 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 6Ω/Ohm @250mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.5W
Description & Applications Very speed switching application Features Silicon N-Channel POWER MOS FET Very high-speed switching applications Low on resistance,very high-speed switching
描述与应用 非常高速开关应用 特性 硅N沟道功率MOS FET 非常高速开关应用 低导通电阻,非常高的速度开关
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