BCW60FN AN 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
32V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
380~630 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
120mV/0.12V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
330mW/0.33W |
| Description & Applications |
NPN Silicon AF Transistors For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 Hz and 15 kHz Complementary types: BCW61, BCX71 (PNP) |
| 描述与应用 |
NPN硅晶体管自动对焦 对于AF输入级和驱动器应用 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压 低噪音30 Hz和15千赫之间 互补类型：BCW61，BCX71（PNP） |
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