BCW60FN AN 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
32V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100MA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
380~630 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.12V~0.55V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
330MW/0.33W |
| Description & Applications |
* NPN Silicon AF Transistors.
* For AF input stages and driver applications.
* High current gain.
* Low collector-emitter saturation voltage.
* Low noise between 30 Hz and 15 kHz. |
| 描述与应用 |
* NPN硅晶体管自动对焦。
* 对于AF输入级和驱动器应用。
* 高电流增益。
* 低集电极 - 发射极饱和电压。
* 30 Hz和15千赫之间的低噪音。 |
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