关键字：

查询类型：型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询： 5K__ 5K_1 5KV_ 5KV1 5KP_ 5J__ 5J_C 5J_2 5JL_ 5JL2
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 在线商城 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　

产品目录
 二极管Diodes (14263)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10359)
 场效应管FET (3756)
 电阻Resistor (4244)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7296)
 集成电路ICIntegrated Circuit（IC） (3418)
 电感Inductor/Coil/Choke (5941)
 电容Capacitor (1614)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1400)
 晶优晶振 (170)
 未分类 (1991)
 保险管FUSE (978)
 测试点Test Point (86)
 标记 (454)
 连接器 (39)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (226)
 衰减器Attenuator (19)
 晶振 (6)
 晶振滤波 (8)
 光电器件Optoelectronic (51)
 编码器Switch (61)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 测试点 (3)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 场效应管 (1)
 NATIONAL (1)
 电阻 (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三极管 (1)
   
TPCF8002
 型号：  TPCF8002
 标记/丝印/代码/打字：  F2B
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  VS-8
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  4000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
 技术文档PDF：  在线阅读
　 　
 在线购买 　

TPCF8002 F2B 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流Id Drain Current 7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 16mΩ~21mΩ
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.3V~2.5V VDS = 10 V, ID = 1mA
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS Ⅳ) . * Notebook PC Applications * Portable Equipment Applications * Small footprint due to a small and thin package * Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 16 mΩ (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1mA)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅣ）。 *笔记本电脑应用 *便携式设备的应用 *由于占地面积小，小而薄的封装 *低漏源导通电阻RDS（ON）= 16mΩ（典型值） *低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=30 V） *增强模式：VTH =1.3到2.5 V（VDS=10V，ID=1毫安）
技术文档PDF下载 在线阅读

　

 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
TPCF8102 F3B TOSHIBA 05+ vs-8 50 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
TPCF8201 F4A TOSHIBA 12+ROHS 1206-8/vs-8 15800 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
TPCF8301 F5A TOSHIBA 06+NOPB 1206-8/vs-8 193500 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
TPCF8302 F5B TOSHIBA 10NOPB 1206-8/vs-8 192000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
TPCF8402 F6B TOSHIBA 05+NOPB 1206-8/vs-8 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
TPCF8B01 F8A TOSHIBA 12+ROHS 1206-8/vs-8 8000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
TPCF8402 f6b TOSHIBA 05+ROHS 1206-8/vs-8 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
TPCF8101 F3A TOSHIBA 12+ROHS40K vs-8 41000 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
TPCF8104 F3D TOSHIBA 06 vs-8 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
TPCF8301 F5A TOSHIBA 06+ROHS 1206-8/vs-8 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
TPCF8104 F3D TOSHIBA 0827ROHS vs-8 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
TPCF8B01 F8A TOSHIBA 07nopb 1206-8/vs-8 5600 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
TPCF8303 F5C TOSHIBA 08NOPB 1206-8/vs-8 471100 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
TPCF8001 F2A TOSHIBA 06NOPB vs-8 3980 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
TPCF8303 F5C TOSHIBA 06+rohs 1206-8/vs-8 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
TPCF8105 F3E TOSHIBA 12+ROHS VS-8 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
TPCF8302 F5B TOSHIBA 10+ROHS 1206-8/vs-8 40000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
TPCF8105 F3E TOSHIBA 12+rohs VS-8 0 场效应管FET-其它Other 查看
TPCF8002 F2B TOSHIBA 12+ROHS VS-8 4000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看

　
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 在线商城 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068（4线）
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照