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2SC6076
 型号：  2SC6076
 标记/丝印/代码/打字：  C6076
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  TO-252
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC6076 C6076 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 160V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 80V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 3A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHZ
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~450
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 0.3~0.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 10W
Description & Applications TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process). Power Amplifier Applications. Power Switching Applications. Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（IC = 1A）. High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ).
描述与应用 TOSHIBA晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺）。 功率放大器应用。 电源开关应用。 低集电极饱和电压VCE（星期六）=0.5 V（最大值）（IC=1A）。 高速开关：TSTG=0.4微秒（典型值）。
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