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BF999
 型号：  BF999
 标记/丝印/代码/打字：  LB
 厂家：  SIEMENS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BF999 LB 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30v
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Silicon N-Channel MOSFET Triode For high-frequency stages up to 300 MHz preferably in FM applications
描述与应用 硅N沟道MOSFET三极管 对于高达300 MHz的高频阶段 最好是在FM应用
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