PHT4NQ10T 4NQ10T 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
100V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
6.9W |
| Description & Applications |
N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology. TrenchMOS? technology Very fast switching Surface mount package. |
| 描述与应用 |
N沟道增强型场效应晶体管 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS?1技术。 开关速度非常快 表面贴装封装 |
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