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BFG21W
 型号:  BFG21W
 标记/丝印/代码/打字:  P1
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-343
 批号:  04+NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFG21W P1 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 4.5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 18GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 40~100
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 600mW/0.6W
Description & Applications APPLICATIONS ? UHF power transistor ? Common emitter class-AB output stage in hand held radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS, etc. ? Driver for DCS1800, 1900. DESCRIPTION NPN double polysilicon bipolar power transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.
描述与应用 应用 ?UHF功率晶体管 ?常见的的发射极类-AB的输出级的在手举行 无线电设备在1.9 GHz,如DECT,PHS等 ?驱动程序应用于DCS1800频段的,1900年。 说明 NPN双多晶硅双极性功率晶体管与 用于低电压中等功率的应用程序的的隐埋层 封装在一个塑料中,4-pin的的的双极 - 发射极SOT343R 包中。
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