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BFG35
 型号:  BFG35
 标记/丝印/代码/打字:  BFG35
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-223/SC-73
 批号:  05+
 库存数量:  2
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFG35 BFG35 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 25V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 18V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA/0.15A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 4GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 25~70
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 1W
Description & Applications NPN planar epitaxial transistor mounted in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. It features high output voltage capabilities
描述与应用 NPN平面外延晶体管 安装在一个塑料SOT223 信封,用于宽带 放大器应用。它具有高 输出电压的能力
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