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BFG67
 型号：  BFG67
 标记/丝印/代码/打字：  V3
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-143
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFG67 V3 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 10V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 50mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 8Ghz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 380mW/0.38W
Description & Applications NPN 8 GHz wideband transistors FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS Wideband applications in the GHz range, such as satellite TV tuners and portable RF communications equipment.
描述与应用 NPN8 GHz的宽带晶体管 特点 ?高功率增益 ?低噪声系数 ?高转换频率 ?黄金金属确保卓越的可靠性。 应用 在GHz范围内的宽带应用，如卫星电视调谐器和 便携式射频通讯设备。
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